富士變頻器維修中出現(xiàn)很多故障，今天我們來(lái)分析一下這些故障發(fā)生的原因。

　　(1) 加速時(shí)間過(guò)短，這是我們過(guò)電流現(xiàn)象中最常見(jiàn)的。依據(jù)不同的負(fù)載情況我們相應(yīng)地調(diào)整加減速時(shí)間，就能消除此故障。

　　(2) 大功率晶體管的損壞也可能引起OC報(bào)警，富士變頻器的大功率晶體管隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展經(jīng)過(guò)了幾次換代，從早期的用于G2(P2)，G5(P5)，G7(P7)系列的GTR模塊，到G9(P9)系列的IGBT模塊，直到現(xiàn)在使用的IPM模塊，無(wú)論從封裝技術(shù)還是保護(hù)性能，都有了很大的提高，高耐壓、大電流、高頻、低耗、靜音、多保護(hù)功能已成為大功率晶體管模塊的發(fā)展趨勢(shì)。大功率晶體管模塊的損壞主要可能有以下幾種原因造成:

　　a) 輸出負(fù)載發(fā)生短路;

　　b) 負(fù)載過(guò)大，大電流持續(xù)出現(xiàn);

　　c) 負(fù)載波動(dòng)很大，導(dǎo)致浪涌電流過(guò)大，都可能引起OC報(bào)警，損壞功率模塊。

　　(3)驅(qū)動(dòng)大功率晶體管工作的驅(qū)動(dòng)電路的損壞也是導(dǎo)致過(guò)流報(bào)警的一個(gè)原因。富士G7S、G9S分別使用了PC922，PC923兩種光耦作為驅(qū)動(dòng)電路的核心部分，由于內(nèi)置放大電路，線(xiàn)路設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單，被包括富士變頻器在內(nèi)的多家變頻器廠家廣泛使用。驅(qū)動(dòng)電路損壞表現(xiàn)出來(lái)最常見(jiàn)的現(xiàn)象就是缺相，或三相輸出電壓不平衡。

　　(4)檢測(cè)電路的損壞也會(huì)導(dǎo)致變頻器顯示OC報(bào)警，檢測(cè)電流的霍爾傳感器由于受溫度，濕度等環(huán)境因數(shù)的影響，工作點(diǎn)很容易發(fā)生飄移，導(dǎo)致OC報(bào)警。

　　開(kāi)關(guān)電源損壞

　　開(kāi)關(guān)電源損壞一個(gè)比較明顯的特征就是變頻器上電無(wú)顯示，富士G5S采用了兩級(jí)開(kāi)關(guān)電源，它先把中間直流回路的直流電壓由500多V轉(zhuǎn)變成300多V，然后再通過(guò)一級(jí)開(kāi)關(guān)電源輸出5V，24V等多路電源，開(kāi)關(guān)電源的損壞常見(jiàn)的有開(kāi)關(guān)管擊穿，脈沖變壓器燒壞，以及次級(jí)輸出整流兩極管損壞，濾波電容使用時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，導(dǎo)致電容特性變化，帶載能力下降，也很容易引起開(kāi)關(guān)電源的損壞。富士G9S則使用了一片開(kāi)關(guān)電源專(zhuān)用的波形發(fā)生芯片，由于受到主回路高電壓的竄入，經(jīng)常會(huì)導(dǎo)致此芯片的損壞，由于此芯片市場(chǎng)很少能買(mǎi)到，引起的損壞較難修復(fù)。

　　整流橋損壞

　　整流橋的損壞也是富士變頻器常見(jiàn)的故障，富士G7S使用了一塊帶有可控硅的整流模塊，它與普通整流橋的區(qū)別就在于它用可控硅替代了主回路接觸器，提高了機(jī)器的可靠性。G9S小功率機(jī)器整流橋則是集成可控硅與開(kāi)關(guān)管于一體。整流橋的損壞常與機(jī)器外部電源有密切聯(lián)系，當(dāng)整流橋發(fā)生故障后，我們不能再盲目上電源，應(yīng)先檢查外圍設(shè)備。